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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）的静电击穿原理主要涉及到其脆弱的绝缘结构在强静电场下的破坏。

场效应管具有非常小的信号通道，其输入和输出阻抗极高，因此它对静电敏感度也相对较高，当存在静电电荷时，这些电荷可能会积累并在管子的脆弱部分（如栅极氧化物）上产生高电场，如果静电场强超过场效应管的额定值，就可能发生击穿现象，强静电场会导致场效应管内部的绝缘介质被击穿，从而引发器件失效。

静电击穿不仅仅是场效应管的问题，任何电子设备都可能受到静电的损害，在操作电子设备时，应采取防静电措施，如穿戴防静电服、使用防静电工具等，以避免静电击穿等问题的发生，对于场效应管等敏感器件，更应特别注意其使用环境和使用方法，以防止因静电造成的损坏。